8月19日消息，据九峰山实验室官微发文，九峰山实验室近日宣布在磷化铟（InP）材料领域取得重大技术突破——成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达国际领先水平。
这一成果不仅填补了国内大尺寸磷化铟材料制备的空白，更实现了从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为光电子器件产业化发展注入强劲动能。
作为光通信、量子计算等前沿领域的核心材料，磷化铟（InP）的产业化应用长期受限于大尺寸制备技术瓶颈。目前业界主流仍停留在3英寸工艺阶段，高昂的制备成本严重制约了下游产业的规模化应用。
而此次九峰山实验室依托国产MOCVD设备与InP衬底技术，成功突破大尺寸外延均匀性控制这一关键技术难题，首次实现6英寸磷化铟（InP）基探测器、激光器外延工艺的自主研发，为大尺寸光芯片的规模化制备铺平了道路。
全球光电子产业的蓬勃发展正推动磷化铟（InP）需求激增。光通信、激光雷达、太赫兹通信等领域的爆发式增长，让这一材料的市场前景愈发广阔。
据Yole预测，2027年磷化铟（InP）光电子市场规模将达56亿美元，年复合增长率（CAGR）高达14%。此次6英寸工艺的突破更具现实意义——它有望将国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，显著提升国产光芯片的市场竞争力。
值得关注的是，此次技术突破是九峰山实验室联合国内供应链实现的全链路创新。以6英寸磷化铟（InP）衬底为例，合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已取得突破，量产在即。这种“全链条协同”的创新模式，不仅加速了技术落地，更对促进我国化合物半导体产业链协同发展、夯实产业链自主可控基础具有深远影响。
目前，九峰山实验室正持续优化6英寸InP外延平台性能，推进下游产品验证工作。通过不断提升产业链自主可控能力，该实验室有望进一步推动我国光电子产业向高端化、规模化升级，在全球竞争中抢占技术制高点。
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